« | August 2025 | » | 日 | 一 | 二 | 三 | 四 | 五 | 六 | | | | | | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | | | | | | | |
|
公告 |
上善若水 厚德载物 |
统计 |
blog名称:宁静致远 日志总数:2340 评论数量:2658 留言数量:88 访问次数:17499663 建立时间:2004年11月1日 |
| 
|
本站首页 管理页面 写新日志 退出
[计算机应用]如何区别DDR2内存和DDR3内存 |
如何区别DDR2内存和DDR3内存
DDR3在大容量内存的支持较好,而大容量内存的分水岭是4gb这个容量,4gb是32位操作系统的执行上限(不考虑pae等等的内存映像模式,因这些32位元元延伸模式只是过渡方式,会降低效能,不会在零售市场成为技术主流)当市场需求超过4gb的时候,64位cpu与操作系统就是唯一的解决方案,此时也就是ddr3内存的普及时期。ddr3 ub dimm 2007进入市场,成为主流时间点多数厂商预计会是到2010年。ddr3内存相对于ddr2内存,其实只是规格上的提高,并没有真正的全面换代的新架构。ddr3接触针脚数目同ddr2皆为240pin。但是防呆的缺口位置不同。
一、与ddr2相比ddr3具有的优点。 1.速度更快:prefetch buffer宽度从4bit提升到8bit,核心同频率下数据传输量将会是ddr2的两倍。 2.更省电:ddr3 module电压从ddr2的1.8v降低到1.5v,同频率下比ddr2更省电,搭配srt(self-refresh temperature)功能,内部增加温度senser,可依温度动态控制更新率(rasr,partial array self-refresh功能),达到省电目的。 3.容量更大:更多的bank数量,依照jedec标准,ddr2应可出到单位元元4gb的容量(亦即单条模块可到8gb),但目前许多dram 厂商的规划,ddr2生产可能会跳过这个4gb单位元元容量,也就是说届时单条ddr2的dram模块,容量最大可能只会到4gb。而ddr3模块容量将从1gb起跳,目前规划单条模块到16gb也没问题(注意:这里指的是零售组装市场专用的unbuffered dimm而言,server用的fb与registered不在此限)。
二、ddr2与ddr3内存的特性区别: 1、逻辑bank数量 ddr2 sdram中有4bank和8bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而ddr3很可能将从2gb容量起步,因此起始的逻辑bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑bank做好了准备。 2、封装(packages) 由于ddr3新增了一些功能,在引脚方面会有所增加,8bit芯片采用78球fbga封装,16bit芯片采用96球fbga封装,而ddr2则有60/68/84球fbga封装三种规格。并且ddr3必须是绿色封装,不能含有任何有害物质。 3、突发长度(bl,burst length) 由于ddr3的预取为8bit,所以突发传输周期(bl,burst length)也固定为8,而对于ddr2和早期的ddr架构的系统,bl=4也是常用的,ddr3为此增加了一个4-bit burst chop(突发突变)模式,即由一个bl=4的读取操作加上一个bl=4的写入操作来合成一个bl=8的数据突发传输,届时可通过a12地址线来控制这一突发模式。 4、寻址时序(timing) 就像ddr2从ddr转变而来后延迟周期数增加一样,ddr3的cl周期也将比ddr2有所提高。ddr2的cl范围一般在2至5之间,而 ddr3则在5至11之间,且附加延迟(al)的设计也有所变化。ddr2时al的范围是0至4,而ddr3时al有三种选项,分别是0、cl-1和cl -2。另外,ddr3还新增加了一个时序参数——写入延迟(cwd),这一参数将根据具体的工作频率而定。
|
阅读全文(2553) | 回复(0) | 编辑 | 精华 |
|